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385nm385nmLED光纤光源
LLGXED385-10mw
每个光纤耦合LED通过对接耦合技术将单个LED与光纤耦合 起来。在这个过程中,光纤接头的定位要使光纤末端尽可 能靠近光发射体,从而将光纤输入端的损耗降小,使输出 功率越大。耦合效率主要取决于耦合光纤的芯径和数值孔 径(NA)。 芯径越大,数值孔径值越高,则损耗越低,光纤 末端的输出功率越大。
电流1000ma | |||||
型号 | 波长nm | 半峰宽 | 600μm光纤 | 1000μm光纤 | 2000μm光纤 |
LLGXED450 | 450±5nm | 20 | 17 | 85 | 200 |
LLGXED470 | 470±5nm | 30 | 14 | 80 | 200 |
LLGXED520 | 520±5nm | 40 | 9 | 50 | 135 |
LLGXED595 | 595±5nm | 18 | 6 | 33 | 100 |
LLGXED630 | 630±5nm | 20 | 12 | 60 | 180 |
电流700ma | |||||
型号 | 波长nm | 半峰宽 | 600μm光纤 | 1000μm光纤 | 2000μm光纤 |
LLGXED370 | 365-370nm | 9 | 12 | 36 | |
LLGXED385 | 385±5nm | 10 | 12 | 50 | 100 |
LLGXED395 | 395±5nm | 12 | 12 | 50 | 125 |
LLGXED405 | 405±5nm | 15 | 12 | 50 | 165 |
LLGXED415 | 415±5nm | 15 | 3.5 | 14 | 42 |
LLGXED425 | 425±5nm | 18 | 5.5 | 21 | 65 |
LLGXED460 | 460±5nm | 25 | 7 | 28 | 90 |
LLGXED495 | 495±5nm | 30 | 6 | 24 | 79 |
LLGXED530 | 530±5nm | 30 | 5 | 30 | 90 |
LLGXED550 | 550±5nm | 35 | 2.5 | 10 | 30 |
LLGXED605 | 605±5nm | 18 | 3 | 12 | 36 |
LLGXED660 | 660±5nm | 25 | 15 | 80 | 200 |
LLGXED685 | 685±5nm | 30 | 19 | 80 | 230 |
应用范围:
广泛应用于高解析度光学、荧光粉反射、医疗应用、光解媒反应 、UV胶固化、特种照明等
产品性能:
LED光源耦合SMA905接口输出(可定制FC接口),耦合效率高; 其LED 发光芯片采用进口灯珠,其性能稳定,长时间工作不会有 漂移浮动;
LED发出冷光源,散热量小,体积小,携带方便。 参数指标
功率可调:4-100%,可调精度2% LED电流700ma或者1000ma
输出方式光纤输出 光纤连接器 SMA905
功率稳定性 (rms,0.5 小时) <3% 工作模式连续
工作温度(℃) 10~35
供电电压12VDC
制冷方式风扇风冷
储存温度(℃) -20~80