掺铌钛酸锶单晶衬底
磁性铁电基片100晶向单抛
LLSrTiO3
掺铌钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但Nb:SrTiO3 具有导电性。掺铌钛酸锶的电阻在0.1-0.001W-cm 之间变化随掺铌浓度在0.1- 0.001wt%之间不同,传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。
主要性能参数 | ||||
Nb:SrTiO3级别 | A | B | C | D |
Nb浓度(wt%) | 1.0 | 0.7 | 0.5 | 0.1 |
电阻率ohm-cm | 0.0035 | 0.0070 | 0.05 | 0.08 |
迁移率cm2/vs | 9.0 | 8.5 | 8.5 | 6.5 |
特点 | Nb:SrTi03与SrTi03单晶具有相似的结构,但NSTO具有导电性。电阻率范围在0.1~0.001wt%之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件 提供了电极。 | |||
尺寸 | 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, | |||
重15,重20,重1”, | ||||
厚度 | 0.5mm,1.0mm | |||
抛光 | 单面或双面 | |||
晶向 | <100> <110> <111> | |||
晶面定向精度: | ±0.5° | |||
边缘定向精度: | 2°(特殊要求可达1°以内) | |||
斜切晶片 | 可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片 | |||
Ra: | ≤5A(5Hm×5Hm) | |||
包装 | 100级洁净袋,1000级超净室 | |||