晶格常数

a=5.65754A

密度

3 5.323(g/cm)

硬度

4(mohs)

熔点

937.4℃

生长方法

提拉法

掺杂物质

不掺杂

掺Sb

掺In或Ga

类型

/

N

P

电阻率Qcm

>35

0.05

0.05-0.1

EPD

3  2 <4×10/cm

3    2 <4×10°/cm

3  2 <4×10/cm

晶向

<111>、<100>、<110>±0.50

尺 寸 ( m m )

25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、 5×5×0.5mm

可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底

表面粗糙度

Surface roughness(Ra):<=5A

可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告

抛光

单面或双面

包装

100级洁净袋，1000级超净室