晶胞参数A

a=5.43、b=5.50、c=7.71

熔点

1600℃

密度

3 7.57g/cm

介电常数

25

生长方法

提拉法

尺寸

10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,

厚度

0.5πm,1.0πm

抛光

单面或双面

晶向

100>    ≤110>     111>

晶面定向精度：

±0.5°

边缘定向精度：

2°(特殊要求可达1°以内)

斜切晶片

可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片

Ra:

≤5A(5μm×5μm)

包装

100级洁净袋，1000级超净室