亮丽光电

本硅片为高纯度重掺杂单晶硅基材制备低阻单晶硅片.

电性稳定、导电性能优异。产品尺寸覆盖1-12英寸(25-300mm),

全规格常备现货。表面采用精密抛光工艺，表面光洁度高、平整

度好，表面缺陷少，适配各类半导体工艺实验与材料表征测试。

广泛应用于各大高等院校、科研院所、半导体企业研发中心。

电阻率分级说明

超低阻

0.001-0.01Ω.cm

重掺杂高导电特性，适用于欧姆接触、功率器件基底、散热导电层制备。

保准低阻

0.01-0.10.cm

电性均衡稳定，适用于MOS管、IGBT、分立器件导电衬底。

中低阻

0.1-0.9Ω.cm

高校科研实验型，适用于镀膜、刻蚀、光伏电池、教学实验。

生长方式

直拉单晶(CZ)、区熔单晶(FZ)

掺杂类型

P型(掺硼)、N型(掺磷、砷)

晶向

<111>、<100>、<110>

尺寸规格

直径：1-12英寸

厚度：常规525μm、625μm、725μm及其它厚度，可定制

电阻率

0.001-0.90Ω.cm

工艺数据

平整度TIR:<3μm、TTV<10μm、翘曲度Warp<30μm、弯曲度BOW<30μm、 v粗糙度<0.5nm、颗粒度<10(for size>0.3μm)

包装方式

100级洁净真空包装

用途介绍

微电子工艺实验、半导体功率器件研发；MEMS微机电系统、各类传感

器制备基底；镀膜、外延、刻蚀、氧化工艺实验等；SEM/AFM/XRD测

试导电基底，消除电荷积累；光伏电池研发、光电材料科研实验；高

校微电子、物理、材料、电子工程专业教学科研。