单晶硅氧化片
研磨硅片 | Prime级别原研磨片，电学性能优良，电阻率准确、均匀性、平整性好，少子寿命高，无裂纹，无 硬伤，无硬洞，无崩边，品质保证，种类繁多，库存充足，同时可为客户提供，激光切割、激光刻 字、硅片开孔、氧化、镀膜、清洗、光刻、刻蚀等全方位工艺代加工服务； |
工艺参数 | 平整度TIR:≤3μm、翘曲度TTV:≤10μm、 Bow/Warp≤40μm、粗糙度≤0.5nm。 |
包装方式 | 洁净铝箔真空封装10片包装、25片包装。 |
加工定制 | 型号、晶向、厚度、电阻率等加工时间根据不同规格参数略有不同。 |
用途介绍 | 用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、 原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体 |
抛光硅片 | 高纯度(11N)1-12英寸单、双抛直拉单晶抛光片 |
尺寸 | 1"2"3“4”5”6"8”12”以及特殊尺寸和规格硅片 |
表面 | 单抛片、双抛片、研磨片、腐蚀片、切割片 |
品向 | <100>I<111>1<110>1<211>1<511>以及各种偏角度的硅片 |
厚度 | 100um 200um 300um 400um 500um 1mm 5mm等各种厚度，厚度公差+-10um.TTV<10um或按客 户要求，粗糙度<0.2nm |
导电类型 | N-type、P-type、undope(本征高阻) |
单晶方式 | 直拉(CZ)、区熔(FZ)、NTD(中照) |
电阻率 | 重掺可达<0.001 ohm.cm,低掺常规1~10 ohm.com,中照常规500~800ohm.cm,区熔本征：> 1000 ohm.cm,>3000 ohm.cm,>5000 ohm.cm,>8000 ohm.cm,>10000 ohm.cm |
工艺参数 | 平整度TIR:≤3μm、翘曲度TTV:≤10μm、 Bow/Warp≤40μm、粗糙度≤0.5nm、颗粒度<≤10ea@>0.3μ) |
包装方式 | 洁净铝箔真空封装10片包装、25片包装 |
加工定制 | 型号、晶向、厚度、电阻率等加工时间根据不同规格参数略有不同。 |
用途介绍 | 用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、 原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体 |
氧化硅片 | 热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下，给过程称为热氧化。通常生长 热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度，使用湿法或者干法的生长方法。 热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层，它具有较高的均匀性和更高的介 电强度。这是一个很好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中，热氧化层都扮演着非常 重要的角色，以安抚硅片表面。作为掺杂障碍和表面电介质。 应用范围： 1,刻蚀率测定 2,金属打线测试 3,金属晶圆 4,电性绝缘层 单面抛光+双面氧化：50nm 100nm 200nm 285nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm 单面抛光+单面氧化：100nm 200nm 285nm 300nm500nm 1000nm 2000nm 双面抛光+双面氧化：100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm2000nm 单面抛光+单面氧化，双面抛光+单双面氧化，本征氧化硅片、薄、厚氧化硅片，均可定制。 各种特殊厚度/各种电阻率、晶向均可定制加工；单双面氧化，衬底、氧化层厚度不同，价格有所 不 同 ； 我公司可为客户订制不同参数的二氧化硅氧化片，质量优良；氧化层厚度、致密性、均匀性和电阻 率晶向等参数均按照国标执行。另：我司代理加工硅片拉晶、切割、研磨、抛光、镀膜氧化等工序 欢迎来电咨询及加工； |
工艺参数 | 平整度TIR:≤3μm、翘曲度TTV:≤10μm、 Bow/Warp≤40μm、粗糙度≤0.5nm、颗粒度<≤10ea@>0.3μ) |
包装方式 | 洁净铝箔真空封装10片包装、25片包装 |
加工定制 | 型号、晶向、厚度、电阻率等加工时间根据不同规格参数略有不同。 |
用途介绍 | 用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、 原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体 |
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