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氧化镁单晶基片

产品说明:氧化镁单晶基片LLMgO 生长方法电弧法晶体结构立方晶格常数a=4.130 A熔点2800(℃)纯度99.95%密度3.58(g/cm³)硬度5.5(mohs
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氧化镁单晶基片

LLMgO

 

 

生长方法

电弧法

晶体结构

立方

晶格常数

a=4.130 A

熔点

2800(℃)

纯度

99.95%

密度

3.58(g/cm³)

硬度

5.5(mohs)

热膨胀系数

11.2x10⁶(1℃)

晶体解理面

<100>

光学透过

>90%(200~1000nm)

介电常数

ε=9.65

热导率

36 W/m.k @300°K

尺寸

5x5,10x10,20x20,30x30mm,Ø50.8  mm

厚度

0.5mm,1.0mm

抛光

单面或双面

晶向

<001>,<110>,<111>

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

2°(特殊要求可达以内)

Ra:

≤5A(5μm×5μm)

包装

100级洁净袋,1000级超净室