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铝酸锶镧单晶片

产品说明:铝酸锶镧单晶片LL LaSrAlO4铝酸锶镧单晶片10*10mm LaSrAlO4高温超导半导体材料科研研实验铝酸锶镧晶体从熔点到低温没有孪晶和相变。它与高温超
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铝酸锶镧单晶片

LL LaSrAlO4

铝酸锶镧单晶片10*10mm LaSrAlO4高温超导半导体材料科研研实验

铝酸锶镧晶体从熔点到低温没有孪晶和相变。它与高温超导YBCO具有相同的结构。与其他衬底相比, <001>平面与YBCO<001>有适度的晶格失配。(2.5~3.5%)。同时,该晶体的热膨胀系数低于其他钙钛 矿晶体,可以在较低温度下沉积薄膜,改善晶格失配,降低应力。

 

 

晶系

四方

生长方法

提拉法

晶格常数

a=3.756A    c=12.63A

熔点(℃)

1650

密度

5.92(g/cm³

硬度

6-6.5(mohs)

介电常数

ε=16.8

生长方法

提拉法

尺寸

10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,


Φ15,Φ20,Φ1”,Φ2”,φ2.6”

厚度

0.5mm,1.0mm

抛光

单面或双面

晶向

<001>

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

2°(特殊要求可达1°以内)

斜切晶片

可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片

Ra:

≤5A(5μm×5μm)



包装

100级洁净袋,1000级超净室