生长方式

区熔单晶(FZ)

掺杂类型

区熔无掺杂本征电阻率

晶向

<111>、<100>、<110>

尺寸规格

直径：1-8英寸

厚度：常规525μm、625μm、725μm及其它厚度，可定制

电阻率

>1000Ω.cm

工艺数据

平整度TIR:<3μm、TTV<10μm、翘曲度Warp<30μm、弯曲度BOW<30μm、 v粗糙度<0.5nm、颗粒度<10(for size>0.3μm)

包装方式

100级洁净真空包装

用途介绍

5G通信射频芯片、基站射频模块、MEMS传感器、功率半导体基底、

光电探测器件、红外传感器件、高校常规实验、SEM扫描电镜基底、

镀膜村底、毫米波、太赫兹基础器件研发、量子传感初步实验、

高能物理探测器件、前沿物理实验，