GaSb锑化镓单晶基板专业定制高精品质III-V 族直接带隙半导体材料
LLGaSb
产品应用
GaSb 是 一 种非常重要的III-V 族直接带隙半导体材 料，是研制II 类超晶格中红外波段激光器、探测器 的理想衬底材料。目前GaSb 基中红外激光器、探 测器已广泛用于夜视、通讯、气象、大气监测、工 业探伤、地球资源探测、测温等领域。
产品特点
●晶体采用液封直拉技术(LEC) 生长，技术成热，电学性能稳定
●采用X射线定向仪精确定向，晶向偽差仅±0.5°
●品片通过化学机械抛光(CMP) 技术抛光，表面粗糙度<0.5mm
●达到“开盒即用”的使用要求
●可根据用户要求，进行特殊规格产品加工
技术参数
晶体电学参数 | ||||||
掺杂 | 导电类型 | 载流子浓度 (cm) | 迁移率 (cm²V-1s1) | 位错密度 (cm) | ||
非掺 | p-型 | (1-2)×1017 | 600-700 | ≤3000 | ||
掺Zn | p-型 | (5-100)x107 | 200-500 | ≤3000 | ||
掺Te | n-型 | (1-20)x107 | 2000-3500 | ≤3000 | ||
晶片加工技术参数 | ||||||
规格 | 2" | 3" | 4" | |||
直 径 ( m m ) | 50.5±0.5 | 76.2±0.5 | 100.0±0.5 | |||
厚度(um) | 500±25 | 600±25 | 800±25 | |||
晶向 | (100)/(111) | (100y(111) | (100(111) | |||
晶向偏差 | ±0.5° | ±0.5° | ±0.5° | |||
主定位边长度(mm) | 16±2 | 22±2 | 32.5±2 | |||
副定位边长度(mm) | 8±1 | 11±1 | 18±1 | |||
平整度TTV(um) | <10 | <10 | <15 | |||
弯曲度Bow(um) | ≤10 | ≤10 | ≤15 | |||
翘曲度Warp(um) | ≤15 | ≤15 | ≤15 | |||
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