生长方式：

直拉法( CZ)

掺杂类型：

N型(掺杂磷、砷、锑)P型(掺杂硼、镓 )

晶向：

<111>、<111>、<110>

直径：

1-12英寸

厚度：

50-10000μm

电阻率：

0.001-1000(Ωcm)

工艺数据：

平整度TIR:<3um、粗糙度<1um

加工订制：

尺寸型号、晶向、厚度、电阻率等，均可订制

电子

用途介绍：

高端芯片村底制备、用于工艺晶体管、肖特基、

可控硅、变容二极管、三级管以及MOSFET等半导体功

率器件产品，第三代半导体配套、器件背面减薄、 MEMS器件核心衬底，广泛应用于LED照明、开关电源

、通讯、工业检测、红外光学、激光雷达、高校、科研

院所半导体材料研发、维纳加工、器件原型制备、新材

料验证实验场景等领域.